Dziś nie można zaprzeczyć, że Żores Ałfiorow odgrywa kluczową rolę w naszym społeczeństwie. Niezależnie od tego, czy poprzez wpływ, jaki wywiera na nasze decyzje, wpływ na rozwój technologiczny, czy też znaczenie w historii, Żores Ałfiorow stał się centralnym tematem dyskusji i debaty. Jego znaczenie obejmuje szerokie spektrum dziedzin, od polityki i ekonomii po kulturę i rozrywkę. W tym artykule zbadamy różne aspekty Żores Ałfiorow i jego wpływ na dzisiejszy świat.
![]() 2012 | |
Państwo działania | |
---|---|
Data i miejsce urodzenia |
15 marca 1930 |
Data i miejsce śmierci |
1 marca 2019 |
profesor | |
Specjalność: fizyka, półprzewodniki | |
Doktorat |
1970 (habilitacja) |
Polska Akademia Nauk | |
Status |
członek zagraniczny |
Rosyjska Akademia Nauk | |
Status |
członek rzeczywisty |
Instytut |
Fizyki i Techniki (Petersburg) |
Dyrektor | |
Okres spraw. |
1987–2003 |
Odznaczenia | |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
Nagrody | |
Żores Iwanowicz Ałfiorow, ros. Жорес Иванович Алфёров (ur. 15 marca 1930 w Witebsku, zm. 1 marca 2019 w Sankt Petersburgu[1]) – rosyjski fizyk, laureat Nagrody Nobla (2000).
Jego ojciec był Białorusinem, a matka Żydówką. Studiował na wydziale elektroniki Instytutu Elektrotechnicznego im. Lenina w Leningradzie. Od 1953 wieloletni pracownik (od 1987 – dyrektor) Instytutu Fizyki i Techniki w Leningradzie (obecnie Petersburgu). W 1970 uzyskał stopnień doktora nauk w dziedzinie nauk technicznych i matematycznych. W 1991 został wiceprzewodniczącym Rosyjskiej Akademii Nauk (1972 członek korespondent, 1979 członek rzeczywisty). Był także przewodniczącym Naukowego Centrum Rosyjskiej Akademii Nauk w Petersburgu. Od 1988 był członkiem zagranicznym PAN[2], a od 1990 – członkiem National Academy of Sciences w Waszyngtonie. Od 1995 zasiadał w Dumie z ramienia partii komunistycznej[3].
Prowadził prace nad heterostrukturami półprzewodnikowymi (strukturami wielowarstwowymi otrzymywanymi metodą kontrolowanego wzrostu monokrystalicznych warstw różnych pod względem chemicznym półprzewodników i metali, nakładanych kolejno na siebie), użyciem heterostruktur do budowy laserów półprzewodnikowych stosowanych w łączach światłowodowych oraz odtwarzaczach płyt kompaktowych[3].
Był autorem 4 książek, 400 artykułów naukowych i 50 wynalazków w dziedzinie technologii półprzewodników[4].
W roku 2000 otrzymał Nagrodę Nobla (wspólnie z Herbertem Kroemerem, niezależnie od Jacka Kilby'ego) za „rozwinięcie technologii heterostruktur półprzewodnikowych, wykorzystywanych w technice bardzo wielkiej częstotliwości i optoelektronice”. Był również laureatem licznych innych nagród[4], m.in. Nagrody Leninowskiej (1972), Nagrody Państwowej ZSRR (1984), Nagrody Rosyjskiej Akademii Nauk im. Joffego (1996), Nagrody Kioto (2001)[3][4][5].
Wielokrotnie odznaczony, m.in.: Orderem „Za zasługi dla Ojczyzny” I, II, III i IV klasy, Orderem Lenina, Orderem Rewolucji Październikowej, Orderem Czerwonego Sztandaru Pracy i Orderem „Znak Honoru”.